CTLDM8120-M621H BK
| 工場モデル | CTLDM8120-M621H BK |
|---|---|
| メーカー | Central Semiconductor Corp |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 20V 950MA TLM621H |
| パッケージ | TLM621H |
| 株式 | 5375 pcs |
| データシート | CTLDM8120-M621HRoHS CertMult Devices EOL 07/Aug/2018 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大） | 8V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TLM621H |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 150mOhm @ 950mA, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 1.6W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 6-XFDFN Exposed Pad |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 200 pF @ 16 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3.56 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 950mA (Ta) |
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